半導体熱抵抗合成
Rth(j-c)・(c-s)・(s-a)から合成熱抵抗を即算出。
半導体熱抵抗合成ツール
熱抵抗合成
Rth(j-a) = Rth(j-c) + Rth(c-s) + Rth(s-a)
直列合成で0.5+0.1+1.5=2.1℃/W。Tj150℃・Ta40℃条件で最大52W損失可能。ヒートシンク・グリス・パッド選定で放熱能力決まります。
熱抵抗の要素
| 要素 | 目安 |
|---|---|
| Rth(j-c) | 0.1-2℃/W |
| Rth(c-s)グリス | 0.1-0.5 |
| Rth(s-a)自然 | 3-20 |
| Rth(s-a)強制 | 0.5-3 |
半導体熱抵抗合成の詳しい解説
熱抵抗合成は「パワエレ冷却設計の基本」。3要素直列で全体決定、最大値がボトルネック。ヒートパイプ・液冷・両面冷却でRth大幅低減、パワー密度4-10倍向上事例あります。
業界・現場での使い方
パワエレ
冷却系選定。
EV車載
コンパクト冷却。
サーバ
データセンター冷却。
よくある間違い・注意点
- グリス塗り過剰 — 厚膜で熱抵抗増。
- シンク過大 — 費用対効果悪化。
関連する規格・法規
- JEDEC JESD51 熱抵抗規格
- IEC 60747-15
※本ツールは公的基準に基づく参考計算です。実際の設計・施工・法令適用は最新の告示・規格および所轄官庁の判断に従ってください。
よくある質問（FAQ）
Rth 0.5+0.1+1.5の合成は?
2.1℃/W、最大52W。