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スイッチング損失パワー半導体GaNSiC

半導体スイッチング損失

電圧・電流・周波数・時間からスイッチング損失を即算出。

最終更新：2026-05-06／監修：計算ツールズ編集部

半導体スイッチング損失ツール

スイッチング損失

P_sw = 0.5 × Vds × Id × tsw × fsw

400V・20A・50kHz・100nsで20W損失。GaN/SiC高速デバイスでtsw激減=高周波+低損失実現、EV充電器・データセンター電源で急拡大中です。

半導体別 スイッチング速度

種別tsw
Si IGBT200-500ns
Si MOSFET50-200
SiC MOSFET10-50
GaN HEMT5-20

半導体スイッチング損失の詳しい解説

スイッチング損失は「パワー半導体の効率決定要素」。導通損失+スイッチング損失+ゲートドライブ損失の総和。SiC/GaN活用でPV/EV/データセンター全体で年数兆円の電力損失削減が期待されています。

業界・現場での使い方

パワエレ設計

スイッチング周波数選定。

EV充電器

高効率設計。

サーバ電源

高密度化。

よくある間違い・注意点

  • 周波数上げると効率UP — 逆でスイッチング損増加。
  • ダイオードリカバリ無視 — FRD採用で削減可。

関連する規格・法規

  • IEC 60747-9 IGBT
  • JEDEC JESD 24

※本ツールは公的基準に基づく参考計算です。実際の設計・施工・法令適用は最新の告示・規格および所轄官庁の判断に従ってください。

よくある質問（FAQ）

400V・20A・50kHz・100nsの損失は?

20W。