半導体 接合温度
損失電力・熱抵抗・周囲温度から接合温度を即算出。
半導体 接合温度ツール
接合温度
Tj = Ta + P × Rth(j-a)
損失20W・Rth3°C/W・周囲40℃でTj=100℃。Si半導体は150℃、SiCは200℃が最大定格、25℃低下で寿命2倍が原則です。
種別 最大Tj
| 半導体 | Tj max |
|---|---|
| Si(民生) | 150℃ |
| Si(車載) | 175℃ |
| SiC | 200 |
| GaN | 150 |
半導体 接合温度の詳しい解説
接合温度管理は「パワー半導体設計の生命線」。Tj超過は破壊・寿命激減、25℃差で寿命2倍。ヒートシンク・水冷・液冷で冷却強化、SiC/GaN普及で高温動作可能に。
業界・現場での使い方
パワエレ設計
放熱設計。
EV車載
過酷環境の信頼性確保。
データセンター
高発熱ICの冷却。
よくある間違い・注意点
- 周囲温度過小見積 — 夏場筐体内は+20-30℃。
- 接触熱抵抗無視 — グリス・パッドで大差。
関連する規格・法規
- JEDEC JESD51 熱抵抗
- IEC 60747 半導体
※本ツールは公的基準に基づく参考計算です。実際の設計・施工・法令適用は最新の告示・規格および所轄官庁の判断に従ってください。
よくある質問（FAQ）
P20W・Rth3・Ta40℃のTjは?
100℃。