ドープ濃度・抵抗率
ドープ濃度・種類から抵抗率を即算出。
ドープ濃度・抵抗率ツール
抵抗率
ρ = 1/(n × μ × q)
μ=移動度(濃度で変動)、q=素電荷1.6E-19C。1E18cm⁻³リンドープで約0.05Ω・cm、基板1E15で15Ω・cm。トランジスタ設計の基本パラメータです。
用途別 濃度目安
| 用途 | 濃度 |
|---|---|
| 基板 | 10¹⁵ |
| ウェル | 10¹⁶-¹⁷ |
| SD拡散 | 10¹⁸-¹⁹ |
| 電極接続 | 10²⁰ |
ドープ濃度・抵抗率の詳しい解説
ドーピングは「半導体機能を作り出す基本工程」。イオン注入+熱処理で濃度・深さ制御、精密工程数千段の集積回路実現の基礎技術です。
業界・現場での使い方
半導体プロセス
拡散工程設計。
デバイス設計
トランジスタ特性。
材料開発
新型半導体開発。
よくある間違い・注意点
- 移動度定数扱い — 濃度で数倍変動。
- 低温補正なし — 極低温で凍結し電気活性低下。
関連する規格・法規
- SEMI M1 シリコンウェハ
- ASTM F 39 抵抗率測定
※本ツールは公的基準に基づく参考計算です。実際の設計・施工・法令適用は最新の告示・規格および所轄官庁の判断に従ってください。
よくある質問（FAQ）
n型1E18cm⁻³の抵抗率は?
約0.05Ω・cm。